লো-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রান্সফর্মারের অভ্যন্তরে আয়রন কোরের কাজটি কী?

1। চৌম্বকীয় সার্কিট তৈরি করা এবং চৌম্বকীয় প্রবাহ পরিচালনা করা

আয়রন কোর হ'ল লো-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রান্সফর্মারের চৌম্বকীয় সার্কিটের প্রধান বাহক, চৌম্বকীয় ক্ষেত্রকে কেন্দ্রীভূত করার জন্য দায়ী এবং একটি বদ্ধ চৌম্বকীয় ফ্লাক্স লুপ গঠনের জন্য দায়ী।

(1) চৌম্বকীয় ফ্লাক্স কন্ডাকশন
আয়রন কোর দক্ষতার সাথে উচ্চ চৌম্বকীয় ব্যাপ্তিযোগ্যতা উপকরণগুলির মাধ্যমে বাতাসের দ্বারা উত্পন্ন বলের চৌম্বকীয় রেখাগুলি পরিচালনা করে, চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তি বাড়ায় এবং এইভাবে শক্তি সংক্রমণের দক্ষতা উন্নত করে।

(২) চৌম্বকীয় ফুটো হ্রাস
আয়রন কোরের কাঠামোগত নকশা (যেমন রিং এবং সি আকৃতি) চৌম্বকীয় সার্কিটের বায়ু ব্যবধানকে হ্রাস করতে পারে এবং চৌম্বকীয় ফুটো হ্রাস করতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, রিং আয়রন কোরের কোনও বায়ু ব্যবধান নেই, অত্যন্ত কম চৌম্বকীয় ফুটো এবং কম বৈদ্যুতিক শব্দ নেই, যা উচ্চ-নির্ভুলতার পরিস্থিতিগুলির জন্য উপযুক্ত।

2। শক্তি হ্রাস হ্রাস
আয়রন কোরের উপাদান এবং প্রক্রিয়া সরাসরি ট্রান্সফর্মারের দক্ষতা এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধিকে প্রভাবিত করে:

(1) এডি বর্তমান ক্ষতি হ্রাস
সিলিকন ইস্পাত শীটগুলি পৃষ্ঠের নিরোধক স্তর ল্যামিনেশন প্রক্রিয়া দিয়ে এডি বর্তমান পথটিকে অবরুদ্ধ করে, যার ফলে এডি বর্তমান ক্ষতি হ্রাস করে। উদাহরণস্বরূপ, ঠান্ডা-ঘূর্ণিত সিলিকন স্টিল স্ট্রিপ সহ রিং আয়রন কোর ক্ষতটি আরও চৌম্বকীয় সার্কিটকে অনুকূল করতে এবং পার্শ্বীয় এডি স্রোতের হ্রাস করতে পারে।

(২) হিস্টেরেসিস ক্ষতি দমন করা
উচ্চ ব্যাপ্তিযোগ্যতা সিলিকন স্টিল শিটগুলির হিস্টেরেসিস লুপটি সংকীর্ণ, এবং চৌম্বকীয়করণ এবং ডেমাগনেটাইজেশনের সময় শক্তি হ্রাস কম।

(3) তাপ অপচয় অপ্টিমাইজেশন
উপাদানটির তাপীয় পরিবাহিতাটির সাথে মিলিত মূলের কাঠামোগত নকশা (যেমন তাপ সিঙ্কের বিন্যাস) তাপের অপচয় হ্রাসের দক্ষতা উন্নত করতে পারে এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধির কারণে পারফরম্যান্স অবক্ষয় বা সংক্ষিপ্ত জীবন রোধ করতে পারে।

3। যান্ত্রিক কাঠামো এবং স্থায়িত্ব সমর্থন

মূলটি কেবল চৌম্বকীয় সার্কিটের মূল নয়, তবে ট্রান্সফর্মারের শারীরিক কঙ্কালও:

(1) যান্ত্রিক সমর্থন
বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় শক্তির ক্রিয়াকলাপের অধীনে কয়েলটির স্থায়িত্ব নিশ্চিত করতে মূলটি বাতাসের কয়েলটির জন্য কঠোর সমর্থন সরবরাহ করে। উদাহরণস্বরূপ, স্তরিত সিলিকন ইস্পাত শীটের স্তরিত কাঠামোটি যান্ত্রিক শক্তি বাড়িয়ে তুলতে পারে এবং বিকৃতি রোধ করতে পারে।

(2) অ্যান্টি-ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শক
বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় স্থানান্তরগুলির অধীনে (যেমন নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি ওভারভোল্টেজ এবং ডিসি পক্ষপাত), মূলটি উপাদানগুলির মাধ্যমে শক্তির কিছু অংশ শোষণ করে, প্রভাব দ্বারা সৃষ্ট বাতাসের ক্ষতি হ্রাস করে। উদাহরণস্বরূপ, সিলিকন ইস্পাত শীটের ননলাইনার স্যাচুরেশন বৈশিষ্ট্যগুলি চৌম্বকীয় প্রবাহের আকস্মিক পরিবর্তনকে সীমাবদ্ধ করতে পারে এবং মূলটির অতিরিক্ত কম্পন এড়াতে পারে।

4। স্বল্প-ফ্রিকোয়েন্সি পরিস্থিতিগুলির বিশেষ প্রয়োজনের সাথে খাপ খাইয়ে নেওয়া

অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা লো-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রান্সফর্মার (0 ~ 400Hz) প্রয়োজন যে মূলটি উপাদান, আকার এবং প্রক্রিয়াটির ক্ষেত্রে নকশাকে লক্ষ্য করে নিয়েছে:

(1) নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি ব্যাপ্তিযোগ্যতা অপ্টিমাইজেশন

কম ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডগুলিতে সিলিকন স্টিল শিটগুলির চৌম্বকীয় ব্যাপ্তিযোগ্যতা (যেমন 50Hz শিল্প ফ্রিকোয়েন্সি) ফেরাইটের চেয়ে ভাল, যা উচ্চ-শক্তি সংক্রমণের জন্য উপযুক্ত। উদাহরণস্বরূপ, শিল্প ফ্রিকোয়েন্সি ট্রান্সফর্মারটির মূলটিতে নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি চৌম্বকীয় প্রবাহ বহন করার জন্য পর্যাপ্ত ক্রস-বিভাগীয় অঞ্চল থাকতে হবে।

(২) ব্যয় এবং ভলিউম ভারসাম্য

স্বল্প-ফ্রিকোয়েন্সি পরিস্থিতিতে সিলিকন স্টিল শিট কোরগুলির পাওয়ার-টু-ভলিউম অনুপাত আরও ভাল। উদাহরণস্বরূপ, একই শক্তির অধীনে, উচ্চ-পারফরম্যান্স সিলিকন ইস্পাত শীট কোরগুলি ভলিউম 30%এরও বেশি হ্রাস করতে পারে, তামা তারের পরিমাণ এবং উত্পাদন ব্যয়ের পরিমাণ হ্রাস করে।

(3) ডিসি পক্ষপাত প্রতিরোধের

ডিসি পক্ষপাত (যেমন জিওম্যাগনেটিক প্ররোচিত বর্তমান) দৃশ্যে, সহনশীলতা বাড়ানোর জন্য উপাদান নির্বাচন (যেমন উচ্চ সিলিকন সামগ্রী ইস্পাত) এবং স্ট্রাকচারাল ডিজাইন (যেমন বায়ু ফাঁক সমন্বয়) এর মাধ্যমে মূলের স্যাচুরেশন বৈশিষ্ট্যগুলি বাড়ানো দরকার।

5। প্যারামিটারগুলি যা ট্রান্সফর্মারটির বিস্তৃত কর্মক্ষমতা প্রভাবিত করে

কোরের নির্বাচন এবং নকশা ট্রান্সফর্মারের মূল সূচকগুলির সাথে সরাসরি সম্পর্কিত:

(1) দক্ষতা এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধি

উচ্চ-পারফরম্যান্স কোরগুলি (যেমন ঠান্ডা-ঘূর্ণিত সিলিকন ইস্পাত) দক্ষতা 95%এরও বেশি বাড়িয়ে তুলতে পারে, যখন তাপমাত্রা বৃদ্ধি 20%~ 30%হ্রাস করে।

(2) ভলিউম এবং ওজন

টরয়েডাল কোরটির একটি উচ্চ চৌম্বকীয় সার্কিট দক্ষতা রয়েছে এবং এটি ভলিউমে প্রায় 40% ছোট এবং ই-টাইপ কোরের তুলনায় 25% ওজনে 25% হালকা, এটি কমপ্যাক্ট সরঞ্জামের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

(3) শব্দ নিয়ন্ত্রণ

লো-ফুটো কোরগুলি (যেমন সি-টাইপ এবং টরয়েডাল) চৌম্বকীয় শব্দকে হ্রাস করতে পারে, ট্রান্সফর্মারটিকে আরও শান্ত করে তোলে